規(guī)格型號：13565179
頻率：80M-250MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
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產(chǎn)品描述：5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地...

富士通晶振,有源晶振,FDO-500晶振,6腳SMD晶振，智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振在選用晶片時應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高。對于晶振的條片，長邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。
對于圓片晶振，X、Z 軸較難區(qū)分，所以石英晶振對精度要求高的產(chǎn)品（如部分定單的 UM-1），會在 X 軸方向進(jìn)行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠，點膠點點在 Z 軸上。保證晶振產(chǎn)品的溫度特性。

2008年6月
韓國將在國內(nèi)銷售kec和kec制的半導(dǎo)體。
10月
晶振廠家參展東京商務(wù)峰會。
開始銷售led燈。
12月
開始銷售高壓薄膜電容器。
2011年12月
高電壓薄膜電容器lcr產(chǎn)品引進(jìn)。富士通晶振,有源晶振,FDO-500晶振,6腳SMD晶振
2012年7月
東芝產(chǎn)半導(dǎo)體開始銷售。
2013年1月
軟件委托開發(fā)開始。
5月
總公司新辦公室改建遷移。
10月
shoprider的電動汽車開始銷售。
2014年7月
SMD晶振小規(guī)模事業(yè)者可持續(xù)發(fā)展補(bǔ)助金。

石英晶振規(guī)格	單位	FDO-500 5.0*3.2mm 晶振說明	進(jìn)口振蕩器基本條件
額定頻率范圍	f_nom	80M-250MHZ	晶振標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ～ +70°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
電源電壓	SV	2.5V 1.8V 3.3V 5V
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±100 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息.
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	15pF	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻（ESR）	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

7-1:機(jī)械振動的影響
當(dāng)晶體產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時，比如：壓電揚聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管石英晶體產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機(jī)械振動的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
7-2:PCB設(shè)計指導(dǎo)
(1) 理想情況下，機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于貼片晶振晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時，機(jī)械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。富士通晶振,有源晶振,FDO-500晶振,6腳SMD晶振
(3) 在使用焊料助焊劑時，按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。

高性能OSC晶振石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計：石英晶振產(chǎn)品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波。第1、2、3項相對簡單，第4項的設(shè)計很關(guān)鍵，電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導(dǎo)致第4項的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設(shè)計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產(chǎn)品的影響的程度增大，故對電極的設(shè)計提出了更精準(zhǔn)的要求。富士通晶振,有源晶振,FDO-500晶振,6腳SMD晶振
差分晶體振蕩器的切割設(shè)計：用不同角度對晶振的石英晶棒進(jìn)行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把有源貼片晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。

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