規(guī)格型號：2242527
頻率：8~60MHZ,40~125MHZ
尺寸：6.0*3.5mm
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產(chǎn)品描述：Bliley晶振,BQCSB晶振,BQCSB-16.000M-FFBDAT晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型,薄型是對應(yīng)陶瓷振蕩器(偏差大)和普通...

Bliley晶振,BQCSB晶振,BQCSB-16.000M-FFBDAT晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型,薄型是對應(yīng)陶瓷振蕩器(偏差大)和普通的石英晶體振蕩器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
Bliley晶振公司發(fā)展歷史：

1950年-1960年：在這幾十年中，我們進入了許多其他市場，包括晶體振蕩器、溫度補償晶體振蕩器 (TCXO)、空間晶體和晶體爐。我們發(fā)現(xiàn)我們的產(chǎn)品現(xiàn)在被用于所有電子領(lǐng)域。1960 年，JHU/APL 使用的 BG73A @ 3MHz 被放置在 TRANSIT 2A 海軍導(dǎo)航衛(wèi)星的軌道上。
1970年-1980年：我們針對的是規(guī)模較大的商業(yè)業(yè)務(wù)，需要對設(shè)備和人員進行大量投資。自動化、計算機化的測試系統(tǒng)走在最前沿，促進了我們的發(fā)展。在 1980 年代初期，我們開始生產(chǎn) SC 切割晶體。
1990年-2000年：在這段時期，我們?yōu)樘岣呶覀冎谱鲝?fù)雜和領(lǐng)先的晶體振蕩器設(shè)計的能力奠定了基礎(chǔ)。這在內(nèi)部得到了最好的雙旋轉(zhuǎn)晶體技術(shù)的支持，并將繼續(xù)得到支持。2001 年，更名為 Bliley Technologies Inc.，以反映公司提供的產(chǎn)品和服務(wù)日益多樣化。
2000年之后：今天，我們在制造低噪聲頻率控制產(chǎn)品方面處于世界領(lǐng)先地位。我們不斷發(fā)現(xiàn)自己正在努力實現(xiàn)重大改進，以滿足客戶不斷變化的需求。更嚴格的穩(wěn)定性、更低的相位噪聲和加速度靈敏度以及封裝尺寸的減小推動了我們開發(fā)各種新技術(shù)。我們相信，我們已做好充分準備迎接挑戰(zhàn)，并像我們 80 多年來所做的那樣取得卓越成就。
Bliley晶振公司總部位于的占地64,000平方英尺的制造工廠的伊利賓夕法尼亞州,是目前美國僅有的一家專注生產(chǎn)百利TCXO振蕩器,石英晶體,有源晶振的公司之一.Bliley晶振,BQCSB晶振,BQCSB-16.000M-FFBDAT晶振.

Parameter	Conditions	Fundamental	3 rd overtone	Unit
Frequency Range		8.0 – 60.0	40.0 – 125.0	MHz
Frequency Tolerance	@ + 25°C	±50 Max (see options)		ppm
Frequency Stability		±100 Max (see options)		ppm
Aging	Max 1 st Year	±5.0		ppm
Equivalent Series Resistance (max)	8.0 – 10.0 MHz	60		Ω
	10.0 – 14.0 MHz	50		Ω
	14.0 – 20.0 MHz	40		Ω
	20.0 – 60.0 MHz	30		Ω
	40.0 – 125 MHz	80		Ω
Insulative Resistance	Min @ 100Vdc ±15Vdc	500		MΩ
Drive Level	Typical	100		μW
C0 (Shunt Capacitance)	Max (typical)	5.0		pF
CL (Load Capacitance)	Per Option (typical)	6-20 (see options)		pF
DLD	50nW to 100µW	±10 Max		ppm
RLD	50nW to 100µW	20% Max		Ω
Operating Temp Range		-20 to +70 / -40 to +85		°C
Storage Temp Range		-55 to +125		°C
Sealing Method		Seam Weld

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

機械振動的影響

當晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

負載電容

有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容）.Bliley晶振,BQCSB晶振,BQCSB-16.000M-FFBDAT晶振.

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